說(shuō)起感應(yīng)熱處理的開(kāi)展歷程，湖南熱處理公司的作業(yè)人員就開(kāi)端喋喋不休了。他說(shuō)：感應(yīng)加熱電源、淬火機(jī)床、感應(yīng)器三者的前進(jìn)一般標(biāo)志著感應(yīng)熱處理技術(shù)水平的進(jìn)步，因?yàn)楦袘?yīng)熱處理新工藝的應(yīng)用，須有配備的保證。今日，他從以下5個(gè)方面講述了感應(yīng)熱處理的開(kāi)展。
　　1、高頻電源的開(kāi)展
　　20世紀(jì)50年代，國(guó)內(nèi)初時(shí)選用進(jìn)口的ЛГЗ－60、ЛГЗ－100、GV-21、Gv201、ThermonicI.H等類型，1957年，天津播送器材廠、北京播送器材廠相繼開(kāi)發(fā)了國(guó)內(nèi)同類型產(chǎn)品，這今后將整體機(jī)改為分體機(jī)，閘流管改為可控硅調(diào)壓硅堆整流，選用新型高 效振蕩管（如FD911s代Fu-23s）、新型平板陶瓷電容器等，進(jìn)步了整機(jī)功率；規(guī)劃和出產(chǎn)了陽(yáng)壓主動(dòng)跟蹤設(shè)備，使空載陽(yáng)壓安穩(wěn)度進(jìn)步。
　　70年代 開(kāi)發(fā)了電子管式超音頻電源，使中模數(shù)齒輪及許多感應(yīng)淬火件得到更合理的淬硬層。

　　90年代后，晶體管高頻電源開(kāi)端研發(fā)，目前國(guó)內(nèi)已能出產(chǎn)多種晶體管高頻電源，特別是小型便攜式電源，以其靈活、價(jià)廉很多應(yīng)用于中小零件感應(yīng)淬火，設(shè)備并出口海外。國(guó)內(nèi)晶體管MOSFET高頻電源f=50～200kHz已能出產(chǎn)，功率達(dá)200kW。
　　2、機(jī)式中頻電源從出產(chǎn)到篩選
　　50年代末，國(guó)內(nèi)能出產(chǎn)МГЗ－52、102、108等類型中頻設(shè)備（含中頻控制設(shè)備與機(jī)式變頻器），今后臥式變頻機(jī)又改善為立式變頻機(jī)，頻率有1000Hz，2500Hz，4000Hz，8000Hz四種標(biāo)準(zhǔn)。單臺(tái)發(fā)電機(jī)Z大功率達(dá)500kW（BPS500/2500）多臺(tái)變頻機(jī)并聯(lián)后功率還可增大，因?yàn)闄C(jī)式發(fā)電機(jī)功率較低（變頻功率70％～80％），80年代初，發(fā)達(dá)國(guó) 家即中止出產(chǎn)，國(guó)內(nèi)現(xiàn)仍有相當(dāng)套設(shè)備在使用，制造廠則已中止出產(chǎn)此產(chǎn)品。
　　3、晶閘管中頻電源
　　因具有安裝啟動(dòng)便利、空載丟失少、電功率高（85％以上）等長(zhǎng)處，90年代后在國(guó)內(nèi)飛躍開(kāi)展，其原因要?dú)w根于器件的國(guó)產(chǎn)化，現(xiàn)在晶閘管中頻電源已覆蓋了中頻的首要市場(chǎng)，其f=1～8kHz，功率為50～2000kW，國(guó)內(nèi)已有數(shù)十家出產(chǎn)商。
　　4、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）超音頻電源
　　它歸納了雙極型及MOSFET晶體管的長(zhǎng)處，驅(qū)動(dòng)功率小，飽滿壓降低，既能在1～10kHz，也能在10～100kHz頻率作業(yè)，與晶閘管電源相比愈加節(jié)能，調(diào)理性能更加好，因而得到很快的開(kāi)展并巳替代部分晶閘管電源，國(guó)內(nèi)產(chǎn)品f=20～40kHz較多，也有50～100kHz的，功率達(dá)1000kW。

　　5、超高頻電源
　　頻率達(dá)百萬(wàn)赫茲（MHz）的超高頻電源首要用于刀片、針布尖部，以及φ2.5mm以下等小工件的淬火，國(guó)內(nèi)已有多種產(chǎn)品，其頻率f為27.12MHz或12MHz等，功率一般不超越30kW。
　　除了以上說(shuō)的5個(gè)方面，湖南熱處理公司的作業(yè)人員說(shuō)國(guó)內(nèi)還有高頻與超音頻兼能的雙頻電源，便于用戶出產(chǎn)多類產(chǎn)品。